将集设计和制作技术于一体,尤其
在保证芯片可靠性的制造工艺方面具备重大优势。
1)芯片设计方面,公司在外延结构设计和芯片设计方面,创新采用非对称波导结构设计、量子阱结构优化等新技术,有效降低量子阱激光器的阈值电流密度,降低端面光功率密度,提升产品的性能和可靠性。
2)芯片制造方面,在已掌握关键技术基础上,通过创新的光刻/刻蚀/蒸镀技术、量子阱失序技术、光栅制备技术、非泵浦窗技术、腔面钝化和光学镀膜技术、封装工艺技术等,提高产品的性能。同时,不断运用自动化、智能化、数字化技术,提升产线效率,降低成本,改善良率。
3)芯片测试表征方面,团队建立完整的测试表征方法,包括器件性能测试、老化和寿命测试、器件失效分析等,并开发系列表征测试设备,为芯片研发及生产提供了强有力的保障。