项目基本情况
序号 | 内 容 | 说明与要求 |
1 | 项目名称 | 电感耦合等离子刻蚀（ICP-RIE）系统采购项目 |
2 | 项目概况 | 本项目为电感耦合等离子刻蚀（ICP-RIE）系统采购项目 |
3 | 招标人 | best365官网登录入口 |
4 | 招标方式 | 公开招标 |
5 | 最高投标限价 | 预算含税价为RMB 3600000元（人民币 叁佰陆拾万元） 各投标人的投标报价均不得高于此预算，高于此预算的投标报价将被视为无效报价。 |
6 | 资金来源 | 政府经费 |
7 | 交期和收货地点 | 交期：合同签订后6个月内，需完成交货、安装调试并验收合格。 收货地点：深圳市龙华区大浪街道浪口社区华荣路496号德泰工业区10栋 |
8 | 付款方式 | 签订合同后预付30%+设备发货前支付60%+设备到厂验收完成后支付10% |
9 | 验收要求 | 详见电感耦合等离子刻蚀（ICP-RIE）系统招标技术要求（第10页） |
10 | 质保期 | 除专用合同条款和（或）供货要求等合同文件另有约定外，合同设备整体质量保证期为验收之日起12个月。如对合同设备中关键部件的质量保证期有特殊要求的，供需双方可在专用合同条款中约定 |
11 | 包装要求 | 符合产品运输要求 |
12 | 运输要求 | 运输费用由供应商负责。应有良好的防湿、防锈、防潮、防雨、防腐及防碰撞的措施。凡由于包装不良造成的损失和由此产生的费用均由投标方承担。 |
13 | 招标范围 | 本次招标的标的为1套电感耦合等离子刻蚀（ICP-RIE）系统。项目包括：设计、制造、配套、运输、安装、调试、服务、技术培训、验收合格交付使用及质保期内的服务等一体化招标工程。 |
14 | 投标人资格要求 | （1）投标人应在中华人民共和国境内注册并具有独立的法人资格； （2）响应人具有健全的财务会计制度及良好的财务状况； （3）投标人自2021年1月1日至今，承担过1项与本项目类似的单项合同额300万及以上的业绩。业绩证明材料：合同或订单【类似业绩：提供采购合同或订单，时间以签订时间为准】 （4）具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录； 税收缴纳证明：提供投标文件递交时间前一年内任意3个月的纳税证明或完税证明，依法免税的单位应提供相关证明材料； 社会保障资金缴纳证明：提供投标文件递交时间前一年内任意3个月的社会保障资金缴存单据或社保机构开具的社会保险参保缴费情况证明，依法不需要缴纳社会保障资金的单位应提供相关证明材料。 （5）最近三年内没有骗取中标和严重违约等重大违法记录。（自拟格式进行承诺说明）并提 供 通 过“ 信 用 中 国 ” 网 站（www.creditchina.gov.cn）查询相关主体无失信记录（网站查询的截图加盖投标人公章，查询时间为公告发布之日起至投标文件递交截止时间）； （6）是否接受联合体投标：不接受。 （7）未尽事宜，遵照法律法规及其他相关规定执行。 |
15 | 是否接受分包 | 不接受设备分包 （备注：涉及设备到厂后的安装工程类可分包） |
16 | 质疑提交 | 时间：2025年1月18日 18:00前； |
17 | 投标有效期 | 30 日（从投标截止之日算起） |
18 | 投标保证金 | 本次项目无投标保证金 |
19 | 投标文件份数 | 正本1份，副本1份，投标文件电子版1份（加盖投标人单位公章） |
20 | 说 明 | 招标项目的潜在投标人应采取书面方式提交报名材料，无须到现场申领。获取招标文件后，投标方须于2025年1月22日12:00点前提交投标文件（正式报价单、方案书、营业执照、公司介绍等） |
21 | 开标时间地点 | 线下开标： 时间： 2025年1月24日14:00，投标文件同时送达。 开标地点：深圳市龙华区大浪街道浪口社区华荣路496号德泰工业区10栋4楼会议室。 |
22 | 评标办法 | 详见招标文件第11~13页共3页 |
23 | 合同签订 | 中标人在收到中标通知后15个工作日内签订合同（遇法定节假日顺延合同签订时间） 备注：中标者必须于30日内提供 ICP-RIE设备的所有厂务需求规格 |
24 | 保密要求 | 根据甲方对敏感信息管控事宜的有关要求，无条件履行相关保密义务 |
25 | 招标人 联系方式 | 联系人：陶小芳 电话：0755-86566695/15218710786 |
电感耦合等离子刻蚀（ICP-RIE）系统招标技术要求
1. 用于化合物半导体材料干法刻蚀，如：GaAs基材料系、InP基材料系干法刻蚀；
2. 载片量：可一次载入3片3英寸晶圆片；配置单工位和3工位载盘；
3. 电极温度：(0℃ or RT)-250℃；偏置RF功率≥600W，ICP RF刻蚀功率 ≥1000W；
4. 10路制程气路： 7路非腐蚀性气体（MFC） CH4/H2/SF6/O2/Ar/PN2，1路备用；
3路腐蚀性气体（MFC） Cl2/BCl3/HBr；
5. 终点侦测系统：含光发射谱终点侦测仪（OES-EPD）和激光干涉终点监测仪（LI-EPD）；
6. 自动工艺控制软件，友好的recipe编辑页面；
7. 制程要求：HBr蚀刻气体，蚀刻GaAs/AlGaAs和GaInP/AlInP外延材料，
1. Ridge蚀刻（深度约1.5 um）形貌：蚀刻区域底部光滑，
无undercut，无notching，无subtrench，footing轻微（＜10%）；
2. 蚀刻深度非均匀性：3”wafer片内 ≤±3%，3片3”wafer片间≤±5%
（±非均匀性=± Max-Min）/(2*Average)*100%）
8. 设备适合穿墙（洁净室彩钢板）安装；供应商提供详细厂务需求表；
附加审核条件：凡参与投标者，须提供充分资料满足best365网页版登录的疑问。
具体内容详见附件：
电感耦合等离子刻蚀（ICP-RIE）系统-招标项目书-深圳市大功率半导体激光芯片工程研究中心组建项目-2025年1月8日.docx
