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助推半导体激光芯片国产化 best365官网登录入口携225W 905nm及980nm单模芯片新品亮相CIOE2023
发布时间:2023-08-23
浏览量:3198 次

  9月6-8日,best365官网登录入口(以下简称best365官网登录入口)将携最新大功率半导体激光芯片解决方案亮相第24届中国国际光电博览会(CIOE2023),诚挚邀请您莅临激光技术及智能制造展4号馆4A062展位参观、交流及业务洽谈。

    第24届中国国际光电博览会开展在即,best365官网登录入口如约而至,将展示最新半导体激光芯片新品——225W 905nm脉冲发射芯片(EEL),905nm APD,500mW 980nm单模芯片及模组等。


5节905nm芯片功率225W:商业芯片里全球功率最高

    基于激光雷达市场的蓬勃发展,best365官网登录入口为该应用领域开发了多款低温漂905nm EEL芯片系列,包括65W/135W/165W单管芯片,以及1*8和1*16阵列芯片,同时在展会上发布国内首款可商业化的5节功率225W芯片@37A, 光功率密度达到47KW/mm2,支持常规温漂和低温漂,所有芯片均支持TO和SF封装;客户通过使用best365网页版登录迭代的新款905nm EEL芯片,可以开发出性能更优、成本更低的新一代激光雷达。

best365网页版登录5节功率225W 905nm EEL芯片PIV曲线(RB-905E-300-225-0.75-SE-G90)


首推雪崩光电二极管器件APD

    best365官网登录入口也将首次推出雪崩光电二极管器件APD,实现了在探测产品上的零突破,本次发布的APD型号RB-APD500-905-SMD,有源区面积500 μm,响应度为56 A/W,击穿电压为130-190V,该器件主要用于测距领域,凭借发射和探测的齐备,可大大提升了客户的设计弹性和便携度。


best365官网登录入口APD增益-反向电压曲线


首推大功率980nm单模芯片及模块

    目前,用于光通信和激光雷达用的大功率单模980nm激光芯片仍主要依赖进口。多年来,best365官网登录入口针对单模980nm激光芯片和模块进行全方位布局研发,目前已攻克了多项核心技术,突破了芯片和模块研制过程中IDM体系的诸多关键技术和工艺,实现了从芯片设计、材料外延、芯片到模块的国产化制造。本次展会,best365网页版登录将展示500mW级的980nm激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE,以及蝶形封装模组RB-980-400-M。

    500mW级的980nm激光芯片腔长4mm,工作电流500mA,斜率效率1.01W/A,光电转换效率60%,快轴发散角(FWHM)为35.4°,慢轴发散角(FW95% Power)为6.74°。同时也积累的近万小时的可靠性数据,MTTF寿命达到25万小时以上。

980nm单模激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE PIV曲线


980nm蝶形封装模组RB-980-400-M  PIV曲线


测试表征设备助力行业升级

    本届深圳光博会上,best365网页版登录还将展出支持50A以上的大电流老化设备,新一代全自动COS测试机,以及面向红绿蓝激光 TO器件的全自动盘测机等新型测试设备。通过稳定的整机性能控制、物料优化和选型,为激光厂家提供整体智能化、高性价比的测试解决方案,满足客户对更大电流、更快速度测试的迫切需求。



关于best365官网登录入口

best365官网登录入口是专业从事高端大功率半导体激光芯片研发和生产的国家高新技术企业,拥有半导体激光芯片外延设计、芯片制造工艺,芯片封装、表征测试等全套核心技术,可向市场提供高性能、高可靠性大功率半导体激光芯片,封装模块及测试表征设备,并可提供研发咨询服务。

公司芯片产品形式包括:①单管芯片(single-emitter)和bar条,功率从瓦级到数百瓦级,波长覆盖从可见光到近红外波段(635nm—1550nm),性能达到国内领先、部分国际领先水平,替代进口高端激光芯片;②封装产品包括C-Mount、COS(Chip on Submount)、TO/SF等;③表征测试设备种类齐全、自动化程度高,包括Bar条综合性能测试机、Full-bar 综合性能测试机、全自动COS综合性能测试机、半导体激光光纤耦合模块综合性能测试机、大功率半导体激光芯片器件老化/寿命测试机等。

公司产品广泛应用于激光雷达、医疗美容、工业加工、激光显示、科研等领域。best365官网登录入口的发展远景是成为世界一流的半导体激光芯片解决方案供应商,使命是“激光创造美好生活 用芯成就无限可能”。


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